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英诺赛科展现 65W 到 240W GaN 处置打算,加快 USB PD3.1 操纵

2021-12-11 17:44:00 James 编辑:优米 浏览数:19苦瓜网

11 月 26 日,在 2021(春季)USB PD&Type-C 亚洲展上,英诺赛科展现了 All GaN 处置打算;与此同时,英诺赛科高等产物操纵司理邹艳波颁发了《高机能 All GaN 打算为 USB PD...

11 月 26 日,在 2021(春季)USB PD&Type-C 亚洲展上,英诺赛科展现了 All GaN 处置打算;与此同时,英诺赛科高等产物操纵司理邹艳波颁发了《高机能 All GaN 打算为 USB PD 3.1 操纵加快》的主题报告,现场剖析更多 GaN 市场代价及操纵新意向。

▲ 英诺赛科高等产物操纵司理邹艳波

USB PD 3.1 快充规范带来了更高的输入电压、更高的功率和功率密度。除手机、平板、条记本电脑外,还能够操纵于显现器、相机、无人机、扫地机械人,电开东西和电动自行车等多个场景。”邹艳波指出,“今朝,英诺赛科的 GaN 器件已实现全场景笼盖。”

不过,USB PD 3.1 和谈的推出对电源设想也提出了新的挑衅。而接纳氮化镓(GaN)制成的功率器件凭仗其超卓的效力及高速切换频次的上风,能完善应答电源设想中的困难。

为此,英诺赛科推出了从 65W 到 240W 全系列 All GaN 处置打算,让功率密度和效力进一步晋升。针对 All GaN 打算,英诺赛科推出了 150V GaN 芯片,与今朝市道上最高规范的 150V Si MOS 比拟,机能晋升 2-3 倍。

据邹艳波先容,英诺赛科 All GaN 打算有以下三种:65W1C,140W 28V/5A 和 240W 48V/5A。

此中,基于 150V GaN 机能,在原打算回进级的 65W All GaN 打算,功率密度可达 31W/in3。在 90V 交换电下效力为 93.4%,在 230V 下效力达 94.7%。

140W 打算可撑持 28V/5A 输入,接纳无桥 PFC+ACF 架构,功率密度达 30W/in3,巨细与传统 65W 快充尺寸相称。

240W(PD3.1 48V5A)打算接纳 Totem pole 无桥 PFC+LLC 设想,功率密度高达 41W/in3,效力达 96.5%,尺寸仅为一张银行卡巨细。

邹艳波表现,在量产高高压氮化镓器件的根本上,英诺赛科也努力于做全链路高效、高频和高功率密度的打算,畴前端电网侧,转到咱们的充电器和得手机外部,实现全数从端到真个处置打算,赞助大师晋升能效。值得一提的是,在 IDM 形式助力下,英诺赛科每两代产物进级,能够使单片晶圆的芯片数目增添 2 倍摆布。

得益于丰硕的 InnoGaN 系列产物线,英诺赛科在花费类电源市场高歌大进,以后出货量已冲破 4000 万颗,已被遐想、努比亚、魅族、ANKER、绿联、倍思、品胜、MOMAX、ROCK、REMAX、QCY、Lapo、tegic 等多家着名品牌和厂商的上百款产物所接纳,并与协作火伴配合推出优异的氮化镓操纵打算。

对将来成长,邹艳波表现,All GaN 打算在绿色动力、数据中间动力、智能电动、直流楼宇等四大范畴都将有普遍的操纵机遇。他指出,“英诺赛科在‘GaN’一件成心义的任务。若是用氮化镓去晋升全数供电电路 5% 的效力,以环球每一年电能耗损 27 万亿千瓦时来计较,能够实现 10 亿吨的碳减排。”

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